一、介绍:
光刻掩模版保护膜,也称为mask pellicle,是一种专门设计的透明薄膜,用于在半导体制造和其他精密光刻工艺中保护光刻掩模版。
二、掩模版保护膜的主要作用:
1. 防尘:掩模版保护膜能有效防止空气中的微尘粒子落在掩模版的图形区域,这些微尘如果落在掩模版上,会在光刻过程中被复制到晶圆上,导致芯片缺陷。保护膜像一个筛网一样,只允许空气通过,而阻挡住大于网孔尺寸的颗粒。
2. 物理保护:它还可以防止在操作、运输或清洁过程中掩模版表面遭受物理损伤,如划痕,这有助于维持掩模版的长期使用精度和寿命。
3. 化学保护:某些保护膜还具备一定的化学稳定性,能够抵抗一定浓度的化学气体和溶剂,减少化学腐蚀对掩模版的影响。
三、保护膜的类型与材质:
1. 硬掩膜保护膜:通常由耐腐蚀且硬度高的材料制成,如硅氮化物、二氧化硅或多晶硅。这些材料能提供长期的保护,适合长时间使用和重复曝光的掩模版。
2. 软掩膜保护膜:主要由聚合物材料构成,早期G-线和I-线掩模版常用硝化纤维树脂作为保护膜。随着技术进步到深紫外线(DUV)光刻,含氟树脂(如聚四氟乙烯及其他含氟聚合物)因其在DUV波段的高透明度而成为优选,以减少对光传输的影响。
四、关键特性要求:
1. 高透明度:保护膜必须具有极高的光学透明度,尤其是在所使用光刻机的特定波长范围内(如紫外光、深紫外光等),以保证光线能够无损通过,不影响光刻的精确度和分辨率。
2. 尺寸稳定性:在各种温湿度条件下,保护膜应保持良好的尺寸稳定性,防止因温度变化引起的形变影响掩模版的对准精度。
3. 防静电:具备防静电性能,减少静电吸附灰尘的可能性,进一步降低污染风险。
4. 耐化学性:能抵抗常用的化学品和清洁剂,防止在工艺过程中被腐蚀或损坏。
5. 易于贴合与去除:在贴合时应能紧密贴合掩模版表面,无气泡,同时在需要更换时能够轻易且无残留地去除。
6. 防尘:保护膜作为防尘网的作用,其网格大小需设计得当,既能阻止大多数灰尘颗粒,又不影响光的透过。
7. 机械强度:具备足够的机械强度以承受搬运、安装和使用过程中的物理冲击,防止破损。
8. 洁净度:生产及包装过程中需严格控制洁净度,确保保护膜本身不含任何污染物。
9. 使用寿命:在规定的使用周期内,保持上述所有性能不变,支持多次曝光或使用周期。
10. 兼容性:与光刻胶、曝光设备以及其他工艺步骤中的材料和设备相兼容,不产生不良反应。